GP1M005A040CG
GP1M005A040CG
Modèle de produit:
GP1M005A040CG
Fabricant:
Global Power Technologies Group
La description:
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
62354 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
GP1M005A040CG.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D-Pak
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.6 Ohm @ 1.7A, 10V
Dissipation de puissance (max):50W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:522pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:7.1nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):400V
Description détaillée:N-Channel 400V 3.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.4A (Tc)
Email:[email protected]

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