| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| La technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Package composant fournisseur: | TO-247AB |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 250 mOhm @ 8A |
| Dissipation de puissance (max): | 48W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Autres noms: | 1242-1135 GA08JT17247 |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| type de FET: | - |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 1700V |
| Description détaillée: | 1700V 8A (Tc) (90°C) 48W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8A (Tc) (90°C) |
| Email: | [email protected] |
