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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - RF > GA01PNS80-220
GA01PNS80-220
GA01PNS80-220
Modèle de produit:
GA01PNS80-220
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE SILICON CARBIDE 8KV
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
75280 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
GA01PNS80-220.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Inverse de crête (max):8000V
Package composant fournisseur:-
Séries:-
Résistance @ Si, F:-
Emballage:Tube
Package / Boîte:Axial
Autres noms:1242-1259
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:PIN - Single
Description détaillée:RF Diode PIN - Single 8000V 2A
Courant - Max:2A
Capacité à Vr, F:4pF @ 1000V, 1MHz
Email:[email protected]

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