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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > FMBM5551
FMBM5551
FMBM5551
Modèle de produit:
FMBM5551
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
38939 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FMBM5551.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:200mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type:2 NPN (Dual)
Package composant fournisseur:SuperSOT™-6
Séries:-
Puissance - Max:700mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms:FMBM5551-ND
FMBM5551TR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:43 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:300MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 600mA 300MHz 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):50nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):600mA
Numéro de pièce de base:FMBM5551
Email:[email protected]

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