FJP5027R
Modèle de produit:
FJP5027R
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS NPN 800V 3A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
63336 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.FJP5027R.pdf2.FJP5027R.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):800V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:2V @ 300mA, 1.5A
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:-
Puissance - Max:50W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:15MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 3A 15MHz 50W Through Hole TO-220-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:15 @ 200mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):3A
Numéro de pièce de base:FJP5027
Email:[email protected]

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