FGP40N6S2
Modèle de produit:
FGP40N6S2
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 75A 290W TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
76574 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.FGP40N6S2.pdf2.FGP40N6S2.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 20A
Condition de test:390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:8ns/35ns
énergie de commutation:115µJ (on), 195µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-220AB
Séries:-
Puissance - Max:290W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:FGP40N6S2_NL
FGP40N6S2_NL-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:35nC
Description détaillée:IGBT 600V 75A 290W Through Hole TO-220AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm):180A
Courant - Collecteur (Ic) (max):75A
Email:[email protected]

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