FGH75T65UPD-F085
FGH75T65UPD-F085
Modèle de produit:
FGH75T65UPD-F085
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
70486 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FGH75T65UPD-F085.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 75A
Condition de test:400V, 75A, 3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:32ns/166ns
énergie de commutation:2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247-3
Séries:Automotive, AEC-Q101
Temps de recouvrement inverse (trr):85ns
Puissance - Max:375W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:FGH75T65UPD_F085
FGH75T65UPD_F085-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:578nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 650V 150A 375W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm):225A
Courant - Collecteur (Ic) (max):150A
Email:[email protected]

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