FGH30T65UPDT-F155
FGH30T65UPDT-F155
Modèle de produit:
FGH30T65UPDT-F155
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 650V 60A 250W TO247-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
28656 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FGH30T65UPDT-F155.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 30A
Condition de test:400V, 30A, 8 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:22ns/139ns
énergie de commutation:760µJ (on), 400µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 Long Leads
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):43ns
Puissance - Max:250W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:FGH30T65UPDT_F155
FGH30T65UPDT_F155-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:155nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 650V 60A 250W Through Hole TO-247 Long Leads
Courant - Collecteur pulsée (Icm):90A
Courant - Collecteur (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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