FF23MR12W1M1B11BOMA1
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Modèle de produit:
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
46603 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf2.FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5.55V @ 20mA
Package composant fournisseur:Module
Séries:CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 50A, 15V
Puissance - Max:20mW
Emballage:Tray
Package / Boîte:Module
Autres noms:SP001602224
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):Not Applicable
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3950pF @ 800V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:125nC @ 15V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A
Email:[email protected]

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