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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > FF225R12ME4B11BPSA1
FF225R12ME4B11BPSA1
Modèle de produit:
FF225R12ME4B11BPSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Quantité:
62771 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FF225R12ME4B11BPSA1.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.15V @ 15V, 225A
Package composant fournisseur:Module
Séries:-
Puissance - Max:1050W
Package / Boîte:Module
Autres noms:FF225R12ME4_B11
FF225R12ME4_B11-ND
SP000691802
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
NTC thermistance:Yes
Type de montage:Chassis Mount
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:13nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
Description détaillée:IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200V 320A 1050W Chassis Mount Module
Courant - Collecteur Cutoff (Max):3mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):320A
Configuration:2 Independent
Email:[email protected]

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