FDS8958B_G
Modèle de produit:
FDS8958B_G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
77635 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDS8958B_G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
Puissance - Max:900mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 15V, 760pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.4A, 4.5A
Email:[email protected]

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