FDS5680
FDS5680
Modèle de produit:
FDS5680
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
49696 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDS5680.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:FDS5680DKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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