FDP032N08
Modèle de produit:
FDP032N08
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
67575 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.FDP032N08.pdf2.FDP032N08.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:15160pF @ 25V
Tension - Ventilation:TO-220AB
Vgs (th) (Max) @ Id:3.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (Max):10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:PowerTrench®
État RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120A (Tc)
Polarisation:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Référence fabricant:FDP032N08
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:220nC @ 10V
type de IGBT:±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4.5V @ 250µA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 75V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:75V
Ratio de capacité:375W (Tc)
Email:[email protected]

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