FDMS86201
FDMS86201
Modèle de produit:
FDMS86201
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 120V POWER56
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
43006 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDMS86201.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PQFN (5x6)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 11.6A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:FDMS86201DKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:34 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2735pF @ 60V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):120V
Description détaillée:N-Channel 120V 11.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11.6A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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