FDMS3668S
FDMS3668S
Modèle de produit:
FDMS3668S
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
63174 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDMS3668S.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.7V @ 250µA
Package composant fournisseur:Power56
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 13A, 10V
Puissance - Max:1W
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:FDMS3668SDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1765pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:13A, 18A
Email:[email protected]

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