FDG6301N-F085
Modèle de produit:
FDG6301N-F085
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
58962 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDG6301N-F085.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:SC-70-6
Séries:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Puissance - Max:300mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:FDG6301N-F085CT
FDG6301N_F085CT
FDG6301N_F085CT-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:9.5pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:220mA
Email:[email protected]

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