FDB6690S
FDB6690S
Modèle de produit:
FDB6690S
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
56139 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDB6690S.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-263AB
Séries:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:15.5 mOhm @ 21A, 10V
Dissipation de puissance (max):48W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1238pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 42A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:42A (Ta)
Email:[email protected]

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