FCA22N60N
FCA22N60N
Modèle de produit:
FCA22N60N
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
69436 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FCA22N60N.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3PN
Séries:SupreMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:165 mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max):205W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1950pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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