| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Inverse de crête (max): | 1.2kV |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 2.1V @ 4A |
| La technologie: | Silicon Carbide Schottky |
| Package composant fournisseur: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Single Phase |
| Description détaillée: | Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 200µA @ 1200V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 6.6A |
| Email: | [email protected] |
