| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Test: | 21pF @ 32.5V |
| Tension - Ventilation: | Die |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Séries: | eGaN® |
| État RoHS: | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2A (Ta) |
| Polarisation: | Die |
| Autres noms: | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | EPC8002ENGR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.14nC @ 5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 65V |
| Ratio de capacité: | - |
| Email: | [email protected] |
