Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2025
EPC2025
Modèle de produit:
EPC2025
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
70967 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EPC2025.pdf
Enquête

introduction

EPC2025 meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour EPC2025, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour EPC2025 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 3A, 5V
Dissipation de puissance (max):-
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-1125-6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:194pF @ 240V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V
Tension drain-source (Vdss):300V
Description détaillée:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes EPC2025

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Enquête
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Enquête
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Enquête
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Enquête
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Enquête
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Enquête
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Enquête
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Enquête
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Enquête
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Enquête
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Enquête
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Enquête
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Enquête
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Enquête
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Enquête

Latest Nouvelles