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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > EDFA112A2PD-GD-F-D
EDFA112A2PD-GD-F-D
Modèle de produit:
EDFA112A2PD-GD-F-D
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
52266 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EDFA112A2PD-GD-F-D.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.14 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR3
Séries:-
Température de fonctionnement:-30°C ~ 85°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:16Gb (128M x 128)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (128M x 128) Parallel 800MHz
Fréquence d'horloge:800MHz
Email:[email protected]

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