EC4H09C-TL-H - AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - bipolaire (BJT) - RF

EC4H09C-TL-H

Modèle de produit:: EC4H09C-TL-H

Fabricant:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

La description:: TRANS NPN 3.5V 40MA ECSP1008-4

[LeadFreeStatus]未找到翻译: Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Quantité:: 65990 Pieces

Heure de livraison:: 1-2 days

Fiche technique:: EC4H09C-TL-H.pdf

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Spécifications

État	New and Original
Origine	Contact us
Distributeur	Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):	3.5V
Transistor Type:	NPN
Package composant fournisseur:	4-ECSP1008
Séries:	-
Puissance - Max:	120mW
Emballage:	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:	4-UFDFN
Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f):	1.3dB @ 2GHz
Type de montage:	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Gain:	15dB
Fréquence - Transition:	26GHz
Description détaillée:	RF Transistor NPN 3.5V 40mA 26GHz 120mW Surface Mount 4-ECSP1008
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	70 @ 5mA, 1V
Courant - Collecteur (Ic) (max):	40mA
Email:	[email protected]

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