DTC143ZUAT106
DTC143ZUAT106
Modèle de produit:
DTC143ZUAT106
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
45265 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DTC143ZUAT106.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):100mA
Tension - Ventilation:UMT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:50V
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):4.7k
Resistor - Base (R1) (Ohms):250MHz
Puissance - Max:200mW
Polarisation:SC-70, SOT-323
Autres noms:DTC143ZUAT106-ND
DTC143ZUAT106TR
Noise Figure (dB Typ @ f):47k
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:DTC143ZUAT106
Fréquence - Transition:80 @ 10mA, 5V
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
La description:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:500nA
Courant - Collecteur Cutoff (Max):300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):NPN - Pre-Biased
Email:[email protected]

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