DTC113EET1G
DTC113EET1G
Modèle de produit:
DTC113EET1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
47773 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DTC113EET1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SC-75
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):1 kOhms
Résistance - Base (R1):1 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-75, SOT-416
Autres noms:DTC113EET1G-ND
DTC113EET1GOSTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:3 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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