DTC043EUBTL
DTC043EUBTL
Modèle de produit:
DTC043EUBTL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
85799 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.DTC043EUBTL.pdf2.DTC043EUBTL.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:UMT3F
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):4.7 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SC-85
Autres noms:DTC043EUBTLDKR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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