| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 100ns |
| Tension - Alimentation: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| La technologie: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Package composant fournisseur: | 40-EDIP |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
| Température de fonctionnement: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 2Mb (128K x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | NVSRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 100ns 40-EDIP |
| Numéro de pièce de base: | DS1258AB |
| Temps d'accès: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
