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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > DS1230AB-150
DS1230AB-150
DS1230AB-150
Modèle de produit:
DS1230AB-150
Fabricant:
Maxim Integrated
La description:
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
42593 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DS1230AB-150.pdf
Enquête

introduction

DS1230AB-150 meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour DS1230AB-150, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour DS1230AB-150 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:150ns
Tension - Alimentation:4.75 V ~ 5.25 V
La technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur:28-EDIP
Séries:-
Emballage:Tube
Package / Boîte:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:256Kb (32K x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:NVSRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée:NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-EDIP
Numéro de pièce de base:DS1230AB
Temps d'accès:150ns
Email:[email protected]

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