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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > DS1225AB-200
DS1225AB-200
DS1225AB-200
Modèle de produit:
DS1225AB-200
Fabricant:
Maxim Integrated
La description:
IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
53258 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DS1225AB-200.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:200ns
Tension - Alimentation:4.75 V ~ 5.25 V
La technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur:28-EDIP
Séries:-
Emballage:Tube
Package / Boîte:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Autres noms:DS1225AB200
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:64Kb (8K x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:NVSRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée:NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
Numéro de pièce de base:DS1225A
Temps d'accès:200ns
Email:[email protected]

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