DMT8012LPS-13
DMT8012LPS-13
Modèle de produit:
DMT8012LPS-13
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
73169 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DMT8012LPS-13.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerDI5060-8
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:17 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.1W (Ta), 113W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:DMT8012LPS-13DI
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1949pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:N-Channel 80V 9A (Ta), 65A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Ta), 65A (Tc)
Email:[email protected]

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