DMT68M8LSS-13
DMT68M8LSS-13
Modèle de produit:
DMT68M8LSS-13
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
46737 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DMT68M8LSS-13.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.9W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2107pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:31.8nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 28.9A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:28.9A (Tc)
Email:[email protected]

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