| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PowerDI5060-8 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4556pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 95.4nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | N-Channel 60V 23A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 23A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
