| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | X1-DFN1006-3 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 115mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 430mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 3-UFDFN |
| Autres noms: | DMN65D8LFB-7-ND DMN65D8LFB-7DITR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 25V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 260mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
