DMG7401SFGQ-7
DMG7401SFGQ-7
Modèle de produit:
DMG7401SFGQ-7
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
58317 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DMG7401SFGQ-7.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerDI3333-8
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 12A, 20V
Dissipation de puissance (max):940mW (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:DMG7401SFGQ-7DIDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2987pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 20V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:P-Channel 30V 9.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9.8A (Ta)
Email:[email protected]

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