DGD2103AS8-13
DGD2103AS8-13
Modèle de produit:
DGD2103AS8-13
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
63188 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DGD2103AS8-13.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Alimentation:10 V ~ 20 V
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:-
Rise / Fall Time (Typ):100ns, 50ns
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:DGD2103AS8-13DICT
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs:2
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Tension logique - VIL, VIH:0.8V, 2.5V
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Non-Inverting
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap):600V
Type de porte:IGBT, N-Channel MOSFET
Configuration pilotée:Half-Bridge
Description détaillée:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
Current - Peak Output (Source, Évier):290mA, 600mA
courant de charge:Independent
Email:[email protected]

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