| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SOT-23-3 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base (R1): | 220 Ohms |
| Puissance - Max: | 200mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | DDTD122TCDICT |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Numéro de pièce de base: | DTD122 |
| Email: | [email protected] |
