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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > CY7C1061GE18-15BVJXI
CY7C1061GE18-15BVJXI
CY7C1061GE18-15BVJXI
Modèle de produit:
CY7C1061GE18-15BVJXI
Fabricant:
Cypress Semiconductor
La description:
IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
52903 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CY7C1061GE18-15BVJXI.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.65 V ~ 2.2 V
La technologie:SRAM - Asynchronous
Package composant fournisseur:48-VFBGA (6x8)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:48-VFBGA
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:16Mb (1M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 15ns 48-VFBGA (6x8)
Temps d'accès:15ns
Email:[email protected]

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