CXDM1002N TR
CXDM1002N TR
Modèle de produit:
CXDM1002N TR
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
42167 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CXDM1002N TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-89
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.2W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-243AA
Autres noms:CXDM1002N TR LEAD FREE
CXDM1002N TR PBFREE
CXDM1002N TR-ND
CXDM1002NTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:550pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2A (Ta)
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