CTLDM8120-M832DS TR
Modèle de produit:
CTLDM8120-M832DS TR
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
MOSFET DUAL N-CHANNEL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
85848 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CTLDM8120-M832DS TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Package composant fournisseur:TLM832DS
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Puissance - Max:1.65W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-TDFN Exposed Pad
Autres noms:CTLDM8120-M832DS TR-ND
CTLDM8120-M832DSTR
Température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3.56nC @ 4.5V
type de FET:2 P-Channel (Dual)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 860mA (Ta) 1.65W Surface Mount TLM832DS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:860mA (Ta)
Email:[email protected]

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