CSD75301W1015
Modèle de produit:
CSD75301W1015
Fabricant:
TI
La description:
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
67638 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CSD75301W1015.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Package composant fournisseur:6-DSBGA (1x1.5)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 1A, 4.5V
Puissance - Max:800mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:6-UFBGA, DSBGA
Autres noms:296-24261-6
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:195pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.1nC @ 4.5V
type de FET:2 P-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 800mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.2A
Numéro de pièce de base:CSD75301
Email:[email protected]

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