CSD17556Q5B
Modèle de produit:
CSD17556Q5B
Fabricant:
TI
La description:
MOSFET N-CH 30V 8-VSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
54290 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CSD17556Q5B.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.65V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-VSON-CLIP (5x6)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.1W (Ta), 191W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:296-35726-2
CSD17556Q5B-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7020pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 34A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:34A (Ta), 100A (Tc)
Numéro de pièce de base:CSD17556Q5B
Email:[email protected]

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