CDM4-650 TR13
CDM4-650 TR13
Modèle de produit:
CDM4-650 TR13
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 4A 650V DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
66995 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CDM4-650 TR13.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:463pF @ 25V
Tension - Ventilation:DPAK
Vgs (th) (Max) @ Id:2.7 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (Max):10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4A (Ta)
Polarisation:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:CDM4-650 TR13TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Référence fabricant:CDM4-650 TR13
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:11.4nC @ 10V
type de IGBT:30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 650V 4A (Ta) 620mW (Ta), 77W (Tc) Surface Mount DPAK
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 4A 650V DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:650V
Ratio de capacité:620mW (Ta), 77W (Tc)
Email:[email protected]

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