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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR
Modèle de produit:
C3M0065090J-TR
Fabricant:
Cree Wolfspeed
La description:
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
77940 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
C3M0065090J-TR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 5mA
Vgs (Max):+19V, -8V
La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur:D2PAK-7
Séries:C3M™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:78 mOhm @ 20A, 15V
Dissipation de puissance (max):113W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant:52 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 600V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 15V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):15V
Tension drain-source (Vdss):900V
Description détaillée:N-Channel 900V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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