BYV29FD-600,118
BYV29FD-600,118
Modèle de produit:
BYV29FD-600,118
Fabricant:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
La description:
DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
66593 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BYV29FD-600,118.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:9A
Tension - Ventilation:DPAK
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:934065341118
Température d'utilisation - Jonction:35ns
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:BYV29FD-600,118
Description élargie:Diode Standard 600V 9A Surface Mount DPAK
Configuration diode:50µA @ 600V
La description:DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr:1.9V @ 8A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):600V
Capacité à Vr, F:150°C (Max)
Email:[email protected]

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