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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BST51,135
BST51,135
BST51,135
Modèle de produit:
BST51,135
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53885 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BST51,135.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.3V @ 500µA, 500mA
Transistor Type:NPN - Darlington
Package composant fournisseur:SOT-89-3
Séries:-
Puissance - Max:1.3W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-243AA
Autres noms:1727-5496-1
568-6968-1
568-6968-1-ND
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:200MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 1A 200MHz 1.3W Surface Mount SOT-89-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:2000 @ 500mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):50nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):1A
Numéro de pièce de base:BST51
Email:[email protected]

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