| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 94µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-SOT223-4 |
| Séries: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.8W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms: | BSP125 E6327-ND BSP125E6327 BSP125E6327T SP000011100 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.6nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| Description détaillée: | N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
