BSO615NGHUMA1
BSO615NGHUMA1
Modèle de produit:
BSO615NGHUMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
89046 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BSO615NGHUMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 20µA
Package composant fournisseur:PG-DSO-8
Séries:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Puissance - Max:2W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:BSO615N G
BSO615N G-ND
BSO615NG
BSO615NGHUMA1TR
BSO615NGINTR-ND
BSO615NGT
BSO615NGXT
BSO615NT
BSO615NXTINTR
BSO615NXTINTR-ND
SP000216316
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.6A
Numéro de pièce de base:BSO615
Email:[email protected]

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