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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > BSM10GD120DN2E3224BOSA1
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Modèle de produit:
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
66253 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BSM10GD120DN2E3224BOSA1.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.2V @ 15V, 10A
Package composant fournisseur:Module
Séries:-
Puissance - Max:80W
Package / Boîte:Module
Autres noms:BSM10GD120DN2E3224
SP000100368
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:530pF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:-
Description détaillée:IGBT Module Full Bridge 1200V 15A 80W Chassis Mount Module
Courant - Collecteur Cutoff (Max):400µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):15A
Configuration:Full Bridge
Email:[email protected]

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