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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > BR25G256FJ-3GE2
BR25G256FJ-3GE2
BR25G256FJ-3GE2
Modèle de produit:
BR25G256FJ-3GE2
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SOPJ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
61601 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.BR25G256FJ-3GE2.pdf2.BR25G256FJ-3GE2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:5ms
Tension - Alimentation:1.6 V ~ 5.5 V
La technologie:EEPROM
Package composant fournisseur:8-SOP-J
Séries:-
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:BR25G256FJ-3GE2DKR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:256Kb (32K x 8)
Interface mémoire:SPI
Format de mémoire:EEPROM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:EEPROM Memory IC 256Kb (32K x 8) SPI 20MHz 8-SOP-J
Fréquence d'horloge:20MHz
Email:[email protected]

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