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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > BLF8G24L-200P,112
BLF8G24L-200P,112
BLF8G24L-200P,112
Modèle de produit:
BLF8G24L-200P,112
Fabricant:
Ampleon
La description:
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
28426 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BLF8G24L-200P,112.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:28V
Tension - Nominale:65V
Transistor Type:LDMOS (Dual), Common Source
Package composant fournisseur:SOT539A
Séries:-
Alimentation - sortie:60W
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT539A
Autres noms:934066302112
Noise Figure:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:17.2dB
La fréquence:2.3GHz ~ 2.4GHz
Description détaillée:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 1.74A 2.3GHz ~ 2.4GHz 17.2dB 60W SOT539A
Note actuelle:-
Courant - Test:1.74A
Numéro de pièce de base:BLF8G24
Email:[email protected]

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